重离子注入GaAs辐照损伤研究

摘要：

利用4.5 MeV的氪离子(Kr17+)辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10.12~3×10.14 cm-2,测试辐照后材料的拉曼光谱.随着辐照注量增大,材料的纵向光学 (longitudinal optical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品.3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差.

关键词：GaAs、拉曼光谱、辐照效应、晶体结构

所属期刊栏目：8

分类号：TL99

在线出版日期：2017-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：56-60