用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器

摘要：

利用5 V 数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及8路3级驱动电路，逐步提升 MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号，再经过次级驱动电路，提升为8路中高压驱动信号，加速输出级开关，产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12 V，输出电压为50～－200 V，输出脉冲前后沿均为1．5 ns，输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节，可在最小输出脉冲宽度3 ns 至直流信号之间变化。脉冲工作时，最大重频为3．3 MHz，固有延迟为50 ns，触发晃动小于0．2 ns，体积为86 mm×43 mm×23 mm。

关键词：像增强器、金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、阴极门控发生器

所属期刊栏目：7

分类号：TN924

资助基金：国家自然科学基金资助项目11475138

在线出版日期：2017-02-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：041203-1-041203-6