10.3969/j.issn.2095-6223.2016.04.007
CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法
针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面,研究了CCD空间总剂量效应、位移效应和单粒子瞬态效应地面模拟试验方法,为开展 CCD空间辐射损伤效应研究和加固性能考核提供了试验技术支持。
CCD、空间辐射效应、总剂量效应、位移效应、单粒子瞬态效应、地面模拟试验方法
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TN386.5(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目11035126;国家重点实验室基金资助项目SKLIPR1211
2017-02-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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