632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究

摘要：

开展了632.8 nm连续激光辐照可见光JHSM36Bf CMOS相机实验研究,获得了632.8 nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值.实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强;连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰;分析了CMOS串扰现象与CCD的不同.用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法,定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度.

关键词：CMOS、激光辐照、功率密度阈值、激光干扰

所属期刊栏目：6

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：181-185