厚靶轫致辐射在粒子输运模拟中的实现与验证

摘要：

为提升自行开发的粒子输运蒙特卡罗模拟软件PHEN对电子输运模拟的处理能力,根据厚靶轫致辐射(thick-target bremsstrahlung,TTB)模型,在PHEN中加入了自编的TTB模块,分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的适用范围.通过与MCNP中轫致辐射截面及电子射程的对比,验证了TTB模块模拟电子输运的正确性.计算了加入TTB模块前后正电子湮没峰计数的变化,用于判断使用TTB模块模拟的合理性.计算结果表明:当材料尺寸小于电子在材料中的射程时,TTB模型不考虑电子输运的计算结果是不合理的,应采用压缩历史算法处理电子输运;当材料尺寸大于电子在材料中的射程时,TTB模型计算速度快,计算结果与压缩历史算法的计算结果吻合较好,可用厚靶轫致辐射处理电子输运.

关键词：厚靶轫致辐射、蒙特卡罗、粒子输运、正电子湮没峰

所属期刊栏目：6

分类号：O571.1(原子核物理学、高能物理学)

在线出版日期：2015-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：155-162