电流型GaN辐射探测器研制

摘要：

采用大面积半绝缘型GaN (semi-insulting GaN,SI-GaN)晶体制备了电流型GaN辐射探测器,研究了探测器伏安(Ⅰ-Ⅴ)特性、γ射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能.结果表明,晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触,探测器在600 V偏压下暗电流低于400 pA,电荷收集效率高于40％,探测器脉冲响应时间在ns量级.

关键词：半绝缘型GaN、半导体探测器、电荷收集效率

所属期刊栏目：4

分类号：TN3;TM9

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助12QN25

在线出版日期：2014-02-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：319-322