双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究

摘要：

采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

关键词：半带电压漂移、低剂量率辐射损伤增强、MOS电容、总剂量

所属期刊栏目：4

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2014-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：138-143