半导体激光促进氟化钠预防牙本质龋的研究

摘要：

目的为寻找更有效的预防牙本质龋的手段,应用半导体激光(激光参数:在输出功率为130mw下连续辐照2分钟,能量密度为40G/cm2)与2%氟化钠(NaF)(涂2分钟)溶液联合作用于离体人牙根表面来预防牙本质龋.方法所制标本分为4组,分别经激光加氟、氟、激光和空白处理,然后同时进行人工龋实验,制备磨片,照射软X射线片,用TMR软件(Transverse microradiography)对所拍X线片的表面层宽度、表面下层宽度及其相对脱矿量进行分析、统计.结果激光加氟组人工龋的表面下层宽度及其相对脱矿量较单纯涂氟组、单纯激光组、空白组显著减少(P＜0.05),单纯氟组人工龋的表面下层宽度及其相对脱矿量较单纯激光组、空白组显著减少(P＜0.05),单纯激光组表面下层宽度及其相对脱矿量与空白组之间无显著性差异(P＞0.05,各组表面层之间无显著性差异(P＞0.05).结论半导体激光能促进氟化钠的抗酸效果,这可能为临床提供一种预防牙本质龋的新方法.

关键词：激光、氟化物、防龋

所属期刊栏目：15

分类号：R781.1(口腔科学)

在线出版日期：2004-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：406-407