世界首创的碳化硅二极管

摘要：

@@ 最近,日本关西电力公司与美国CREE公司共同在世界上首次开发了12kV级高耐压超低损失二极管,它具有划时代的高性能.目前,在所有领域,为控制电力一般使用硅功率半导体元件.但硅材料存在如下缺点:①电气性能方面,随着电力变换的损失大,耐压降低;②物理性能方面,不能在高温下工作,在电力领域的应用上受到限制.因此,近年来,性能上远远胜过Si材料,具有优异的物理、电气性能的碳化硅(SiC)材料引起人们关注.

机标关键词：碳化硅、电气性能、电力公司、硅材料、半导体元件、域的应用、物理性能、电力变换、高性能、高耐压、二极管、低损失、压降、时代、日本、美国、控制、开发、功率

分类号：TP3;TM7

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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