弱酸环境下硅纳米线的水热可控合成及其光学性能

摘要：

以去离子水为溶剂,SiO为硅源,调节溶液的pH为6,加热至470℃,8 MPa保温8h,成功制备出硅纳米线.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射显微镜(TEM)对硅纳米线进行了结构和形貌表征,采用光致发光(PL)光谱分析了硅纳米线的光学性能.结果表明:硅纳米线为立方金刚石结构,其生长端呈半圆形的闭合结构,纳米线由晶面间距约0.31nm的晶体硅内核与厚度小于10 nm的无定形氧化硅外鞘两部分组成;PL光谱显示硅纳米线在431 nm和462 nm处具有良好的发光性能.

关键词：硅纳米线、水热法、光致发光

所属期刊栏目：33

分类号：TQ031.2;O613.72(一般性问题)

资助基金：海南大学青年项目qnjj1236

在线出版日期：2013-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-49,51