10.3969/j.issn.0253-4320.2012.04.012
复合硅源在大理石表面仿生合成二氧化硅保护膜的研究
使用硅酸钠/氟硅酸钠复合硅源,通过仿生合成方法在大理石表面制备得到了一层SiO2为主要成分的保护膜,并对该膜的性能进行了检测评价.运用傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜对膜的结构和形貌进行了表征,探讨了SiO2的成膜机理.结果表明,运用复合硅源可在近中性条件下在大理石表面形成SiO2膜,SiO2颗粒以球形形态沉积在大理石表面,表现出成核、颗粒长大和颗粒堆聚3个阶段.24 h可形成较完整、均匀致密的保护层.该膜不仅具有优良的耐酸、耐候性,还具有良好的透气性能.
二氧化硅膜、复合硅源、仿生合成
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TB332(工程材料学)
北京市科技新星计划2008B56
2012-06-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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