纳米二硫化钼制备现状与发展趋势
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:0253-4320.2003.08.004

纳米二硫化钼制备现状与发展趋势

引用
从还原法、分解法、氧化法、电化学法等方面入手,评述了化学法制备纳米二硫化钼的现状.介绍了用单层MoS2重堆积制备纳米插层化合物(夹层化合物)的方法,包括制备的机理、客体物质的种类及MoS2插层化合物的性能与应用等.简要介绍了二硫化钼的结构、性质与功能以及制备纳米MoS2的物理方法.最后对各种制备方法的优缺点进行了分析与对比,并展望了纳米MoS2的制备技术与方法的发展前景,强调纳米MoS2的制备应是多种方法相结合,朝着制备纳米复合型材料的方向发展的观点.

纳米二硫化钼、重堆积法、纳米插层化合物、化学法、纳米材料

23

TQ136.12;TB383

安徽省自然科学基金00046103

2003-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

14-17,21

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

现代化工

0253-4320

11-2172/TQ

23

2003,23(8)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn