10.16652/j.issn.1004-373x.2023.18.011
集成电路老炼试验条件分析及优化
主要从元器件老炼试验入手,依据寿命分布和反应速率理论,分析元器件老炼试验的原理和目的,并重点基于目前相关标准及研究成果,分析老炼试验条件的设置要素.结合目前国内外元器件整体质量水平及激活能的现状,分析各自标准条件下老炼试验时间的优化途径及参考结果.从理论依据和实际操作方法出发,对典型国内外集成电路老炼试验条件进行分析.以元器件稳态寿命试验结果为特征寿命值参考,论证确定老炼试验条件的方法.分析得出:在125℃条件下,激活能为0.6 eV的器件老炼时间可控制在96 h之内;激活能取0.55 eV,则老炼时间在149 h之内.另外,对目前国内相关标准规范进行研究,针对现行试验条件提出优化方法.
老炼试验、集成电路、元器件、稳态寿命试验、激活能、老炼时间、特征寿命
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TN406-34(微电子学、集成电路(IC))
2023-09-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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