CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计

摘要：

CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接.根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用深硅刻蚀技术得到通孔,使用磁控溅射镀膜机在通孔内壁沉积金属,实现了任意尺寸硅通孔的快速金属互连.通过比较不同尺寸的通孔直径,实验分析确定380μm厚的硅片最优通孔直径为150μm,此孔径通孔垂直度高,通孔间的电阻均相对较小约为0.6～0.9Ω,通孔导通良好.同时,深硅刻蚀后的通孔都存在过刻现象,在过刻25μm以内,金属图形化时应该留有足够安全距离,为CMUT面阵换能器制备提供实践依据.

关键词：CMUT面阵、上电极引线、TSV技术、深硅刻蚀、磁控溅射、金属互连

所属期刊栏目：44

分类号：TN405.97-34(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点研发计划:基于MEMS技术的阵列式微型声压传感器研制;国家杰出青年科学基金:微纳米传感器原理与集成

在线出版日期：2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：162-166