IGBT串联电压失衡机理研究

摘要：

在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作.因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与研究,针对造成电压失衡的影响因素进行理论分析,对IGBT串联电压失衡机理进行了较为深入的研究,并提出平衡串联IGBT串联动态电压的方法.通过分析得出引起串联IGBT动态电压失衡的根本原因有三方面:动态阻抗不一致导致的动态分压不一致;开关时刻及速度不一致;寄生电容引起的分流导致各级IGBT流过的电流不一致.

关键词：IGBT串联使用、串联电压失衡、失衡因素分析、电压平衡方法、高压击穿、理论分析

所属期刊栏目：43

分类号：TN834-34;TP391.4(无线电设备、电信设备)

资助基金：河南省高等教育教学改革研究;实践项目;河南省高等学校青年骨干教师培养资助项目

在线出版日期：2020-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：126-130