适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO

摘要：

文中设计一种应用于3D NAND的无片外补偿电容的LDO,该电路在传统嵌套米勒补偿的基础上,增加"gm减小电路"和"轻重载控制电路",实现在空载(电流负载为零)且有大负载电容条件下的稳定.此设计应用YMTC 0.18μm工艺实现,仿真结果显示,在2.5～3.6 V电源供电下,整个电路消耗的静态电流为50μA,总补偿电容为7 pF,电路稳定的时间小于6μs,输出线性调整率小于2.2 mV/V,负载调整率小于0.9 mV/mA.

关键词：LDO、米勒补偿、3DNAND、电路设计、仿真实验、稳定性分析

所属期刊栏目：42

分类号：TN911-34;TP301.6

资助基金：国家自然科学基金61474137;国家重点研发计划2018YFB1107700

在线出版日期：2020-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-45