多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应

摘要：

随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性.为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,文中提出时延约束、路径约束和考虑非门的可防护性约束的多约束下,通过计算门的影响因数的大小来寻找定位关键门集合,用门替换的方法来防护关键门.通过实验进行证明,文中提出的方法不仅识别出的关键门数量少,且更加精准,老化的时延改善率更高.

关键词：负偏置温度不稳定性、电路老化、关键门、时延约束、影响因数、门替换

所属期刊栏目：41

分类号：TN710.2-34;TP331(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61371025;国家自然科学基金资助项目61274036

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：113-116