IGBT驱动电路密勒效应的应对策略分析

摘要：

IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力等,决定了IGBT的静态与动态特性.针对IGBT在开通和关断时,密勒效应对驱动的影响及其应对策略进行研究和分析.分析了密勒电容引起的寄生导通效应的4种应对策略,包括改变门极电阻,增加GE间电容,采用负压驱动以及有源密勒钳位技术,并分析了驱动电路中门极电阻对IGBT性能的影响.在此基础上,进行了实验对比,给出了实验分析结果.此外还对驱动与控制板的线缆连接要求进行了测试对比.实验结果表明,门极电阻的设置直接影响IGBT的开关性能,实际应用中需要综合考虑实际需求选择合适的门极电阻值来保证IGBT最优化地开通关断,密勒效应中的密勒电容对IGBT的开关性能影响非常大,驱动与控制板的线缆连接要求越短越好.

关键词：IGBT、驱动电路、密勒效应、分布电容、门极电阻、动态特性

所属期刊栏目：41

分类号：TN710.4-34(基本电子电路)

资助基金：广东省普通高校特色创新项目2015KTSCX173Project Supported by Guangdong College and University Characteristic Innovation2015KTSCX173

在线出版日期：2018-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-47