10.16652/j.issn.1004-373x.2017.08.002
基于电热耦合效应下的TSV互连结构传输性能分析
根据电路和热路的基本原理结合硅通孔(TSV)的几何结构,建立TSV互连结构等效电路模型,对该模型进行电-热耦合条件下的互连传输性能分析,研究TSV的半径、高度和二氧化硅层厚度对TSV传输性能的影响.结果表明,TSV互连结构的传输性能随着半径和二氧化硅层厚度的增大而变得越好,随着其高度增大而变得越差.同时用COMSOL仿真软件分析出的S参数与等效电路模型的结果相对比,所得的结果几乎一样,进一步说明等效电路模型的正确性.
TSV、电热耦合、等效电路、COMSOL、S参数
40
TN917.83-34;TN605
国家自然科学基金51465013;桂林电子科技大学研究生创新项目GDYCSZ201443,GDYCSZ201480;广西自动检测技术与仪器重点实验室主任基金YQ15109;广西研究生教育创新计划资助项目YCSZ2014142
2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
4-7