基于ARM的大容量NAND FLASH应用

摘要：

针对基于ARM的大容量NAND FLASH应用中的问题进行研究,发现ARM的可变静态存储控制器模块只有2个NAND FLASH片选引脚,无法直接提供大容量NAND FLASH所需的4个片选信号;NAND FLASH存储以页为单位,对于不足1页的数据无法进行存储.通过对ARM的引脚复用功能和NAND FLAS H的工作特点进行研究,提出了自定义NAND FLASH片选信号解决片选不足,通过对数据进行填充解决不足1页的数据无法存储的问题.最终通过实验进行验证,保证了基于ARM的大容量NAND FLASH可以充分有效的应用.

关键词：ARM处理器、片选、大容量存储、NAND闪存

所属期刊栏目：39

分类号：TN710-34;TP333(基本电子电路)

在线出版日期：2016-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-68