10.3969/j.issn.1004-373X.2015.20.041
基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计
针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及 N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。
功率器件、沟槽型功率器件、掩膜板、工艺仿真
TN386.1-34(半导体技术)
2015-10-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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