一种双栅结构抗单粒子翻转加固SRAM存储单元

摘要：

通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元.该单元在实现抗单粒子翻转加固的同时具有快速翻转恢复、快速写入、低静态功耗的特点.基于0.18 μm CMOS工艺进行电路仿真,结果显示该加固单元读/写功能正确,翻转阈值大于100 MeV· cm2/mg.可以预测,该电路应用于空间辐射环境下将有较好的稳定性.

关键词：单粒子翻转、双栅结构、SRAM存储单元、加固设计

所属期刊栏目：38

分类号：TN603-34(电子元件、组件)

在线出版日期：2015-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：102-105