带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计

摘要：

基于UMC 65 nm CMOS 工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器.环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成.仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100 oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 dBc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 mW;版图面积约为0.005 mm2.

关键词：低功耗、CMOS环形压控振荡器、温度补偿、系统设计

所属期刊栏目：38

分类号：TN752-34(基本电子电路)

资助基金：上海市经信委资助项目13XI-32;上海市科委资助项目14521106200

在线出版日期：2015-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：98-101