基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制

摘要：

近年来在无线通信、雷达等领域，对发射的功耗要求越来越苛刻，而产品可放置的空间越来越小，这就要求功率放大器要有更高的效率以及更高的工作结温，新一代宽禁带半导体材料GaN能够满足该要求。基于CREE公司的GaN功放管CGH40045研制了一款S频段的功率放大器，主要进行了功率匹配、散热考虑、杂散抑制的设计。最终的测试结果显示，在300 MHz的带宽内功率增益≥50 dB，饱和输出功率≥46 dBm，工作效率≥50%，比之前采用的工作效率为30%的GaAs功率放大器有了显著的提高。可见在今后的通信系统中，基于新一代半导体材料GaN的功率放大器有着非常好的应用前景。

关键词：GaN、功率匹配、高效率功率放大器、通信系统

分类号：TN722.75-34(基本电子电路)

在线出版日期：2014-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：83-85