10.3969/j.issn.1004-373X.2014.12.045
低压下激光剥离的研究
为了研究低压环境对激光剥离的影响,利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN/蓝宝石样品分别在低压下和常压下进行多脉冲激光照射,之后用台阶仪测量样品的分解深度,得知相比常压环境,低压下GaN分解深度在脉冲次数为10次、20次、30次时分别增加了为10.2%,19.0%,24.3%,之后结合GaN材料分解过程和脉冲激光照射GaN/蓝宝石结构过程进行理论分析得到相应低压和常压下的GaN材料的理论分解深度,得到与实验一致的趋势。证明了低压环境能提高激光剥离速率。
GaN、激光剥离、多脉冲激光照射、激光剥离速率
TN24-34(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金11104230
2014-07-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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