10.3969/j.issn.1004-373X.2014.12.014
电阻率对硅衬底微波传输特性影响分析
针对传统硅衬底介质损耗大的现象,通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性,系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响,并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。在30 GHz频率范围内,当硅衬底电阻率从10Ω·cm提升至4000Ω·cm时,微带线插入损耗从20 dB/cm降低至0.6 dB/cm。电阻率大于100Ω·cm的高阻硅衬底微波传输特性优于带MEMS空腔的10Ω·cm低阻硅衬底。结果表明提升电阻率可有效降低硅衬底微波传输损耗,结合低成本成熟工艺等优点,高阻硅衬底具有广阔的微波集成应用前景。
电阻率、硅衬底、微带线、插入损耗
TN710-34(基本电子电路)
国家自然科学基金资助项目51205375
2014-07-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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