一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法

摘要：

介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法，并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点，并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm 栅宽RF-LDMOS内匹配电路，说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明，该匹配电路实现了预期功能，在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗，同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB，功率达到48.9 dBm，器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。

关键词：RF-LDMOS、内匹配电路、MOS电容、键合线

分类号：TN710-34(基本电子电路)

资助基金：科技重大专项2012ZX02502002

在线出版日期：2014-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：134-137