DMOS Vfsd之背金工艺窗口研究

摘要：

一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低，这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求，在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关键参数对Vfsd的影响。比较减薄机研磨轮目数后发现，研磨轮目数决定背面粗糙度，进而影响背面SI与背面金属的接触电阻和Vfsd；比较硅腐蚀有、无活性剂后发现，加了活性剂的背面硅腐蚀速率温和、均匀性好，可减缓切入式减薄机的Vfsd扇形分布、Vfsd均匀性明显改善。背注能量拉偏后发现，降低背注能量可降低Vfsd的Mean值。综合以上机理分析和实验结果，找到了背面最佳工艺条件，大大拓宽了背金工艺窗口。在最佳背面工艺条件下，这些特殊的DMOS产品Vfsd超上限几率从1.5%下降到0.1%以下、良率平均上升4%，此背金最佳工艺可以成为DMOS生产的标准工艺。

关键词：DMOS Vfsd超上限、背面减薄、背面硅腐蚀、表面活性剂、背面注入

分类号：TN710-34(基本电子电路)

在线出版日期：2014-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：72-74