相控阵声束焦距深度与晶片数目的优化研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1004-373X.2013.24.006

相控阵声束焦距深度与晶片数目的优化研究

引用
相控阵技术的突出优点包括实现灵活聚焦和激发孔径的自由选择。相控阵技术在实际检测过程中聚焦深度一般会固定但是其聚焦深度与激发孔径的大小(即激发晶片数目的多少)之间具有复杂的相互关联和制约关系。因此基于相控阵声束形成及聚焦的原理,采用32阵元线型阵列换能器,通过实验方式研究了聚焦深度为10~50 mm时激发孔径的最佳范围。研究结果希望会对今后的相控阵检测起到重要的参考价值。

相控阵技术、聚焦深度、激发孔径、线型阵列换能器、声束

TN911-34

天津市应用基础与前沿研究计划资助项目13JCQNJC02900

2013-12-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

20-21

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

现代电子技术

1004-373X

61-1224/TN

2013,(24)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn