抗辐射晶体管3DK9DRH 的贮存失效分析

摘要：

为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH 贮存失效的原因,利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH 的一种贮存失效分析.结果表明晶体管存在工艺问题,内部未进行水汽控制,加上内部硫元素过高,长期贮存后内部发生了氧化腐蚀反应,从而导致晶体管功能失效.对此建议厂家对晶体管的生产工艺进行检查,对水汽和污染物如硫元素等加以控制,及时剔除有缺陷的晶体管.

关键词：失效分析、失效机理、晶体管、辐照加固

分类号：TN321?34(半导体技术)

在线出版日期：2013-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：109-112