JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究

摘要：

借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD).其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力.研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响.通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求.

关键词：碳化硅、肖特基二极管、Silvaco、结终端扩展结构

所属期刊栏目：35

分类号：TN311+.8-34(半导体技术)

资助基金：贵州省工业公关项目黔科合GY字[2009]3026号;贵州省重点实验室能力建设项目黔科合计Z字[2010]4006

在线出版日期：2012-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：170-172