大功率VDMOS(200V)的设计研究

摘要：

介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法.对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化.设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围:外延厚度为20 μm,外延电阻率为5 Ω·cm；栅氧厚度为52 nm;P阱注入剂量为3×313cm-2,推阱时间65 min.将流片结果与仿真结果进行了比较.

关键词：纵向双扩散金属氧化物半导体、漏源电压、导通电阻、封装

所属期刊栏目：34

分类号：TN710-34(基本电子电路)

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：195-197