利用湿法刻蚀的方式制备黑硅

摘要：

采用一种简便的方法制备出具有很好光吸收性能的黑硅材料,利用化学气象沉积和光刻的方式在硅片(100)表面形成圆形Si3 N4掩膜,然后采用两种湿法刻蚀相结合方式来制备黑硅材料.首先采用碱刻蚀的方式对硅片进行各向异性刻蚀,刻蚀完成后在硅片表面形成尖锥形貌；后期利用金纳米颗粒作为催化剂,采用酸刻蚀的方式对硅片表面进行改性,在硅片表面形成多孔结构.这种黑硅材料在250～1 000 nm波段的光吸收率可以达到95％以上.

关键词：黑硅材料、湿法刻蚀、表面形貌、光吸收率

所属期刊栏目：34

分类号：TN304-34(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61021061;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放资助基金KFJJ200806

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：133-136