10.3969/j.issn.1004-373X.2011.18.041
利用湿法刻蚀的方式制备黑硅
采用一种简便的方法制备出具有很好光吸收性能的黑硅材料,利用化学气象沉积和光刻的方式在硅片(100)表面形成圆形Si3 N4掩膜,然后采用两种湿法刻蚀相结合方式来制备黑硅材料.首先采用碱刻蚀的方式对硅片进行各向异性刻蚀,刻蚀完成后在硅片表面形成尖锥形貌;后期利用金纳米颗粒作为催化剂,采用酸刻蚀的方式对硅片表面进行改性,在硅片表面形成多孔结构.这种黑硅材料在250~1 000 nm波段的光吸收率可以达到95%以上.
黑硅材料、湿法刻蚀、表面形貌、光吸收率
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TN304-34(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61021061;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放资助基金KFJJ200806
2012-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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