DMQA浓度对OLEDs光电性能的影响

摘要：

为了探讨DMQA掺杂浓度对有机发光器件(OLEDs)光电性能的影响,采用器件结构ITO/PEDOT:PSS/TPD/Alq3:DMQA/LiF/Al,在0.28～4.5 wt%范围内改变DMQA的掺杂浓度,考察了器件的光电性能变化.结果显示,随着升高DMQA掺杂浓度,器件表现为电流略有下降,说明DMQA对载流子传输起阻挡或者陷阱作用；器件发光效率下降明显,说明DMQA分子间作用力较强,存在浓度淬灭效应,而且,器件发光光谱在570～610 nm区间存在肩峰,其强度随着DMQA浓度增加逐步增大,据此推断该肩峰来自于DMQA激基缔合物发射.

关键词：有机电致发光器件、DMQA、浓度淬灭、激发双体发射

所属期刊栏目：34

分类号：TN36-34(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金面上项目20972097;深圳市科技研究项目JC201005280458A;深圳大学科研基金面上项目000011

在线出版日期：2011-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：179-182