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10.3969/j.issn.1004-373X.2011.16.038

新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

引用
提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据.仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%.

静态噪声容限、漏电流、低功耗、可靠性

34

TN911-34

2011-12-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

123-125,130

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现代电子技术

1004-373X

61-1224/TN

34

2011,34(16)

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