新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

摘要：

提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据.仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%.

关键词：静态噪声容限、漏电流、低功耗、可靠性

所属期刊栏目：34

分类号：TN911-34

在线出版日期：2011-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：123-125,130