集成PMOS管变容特性分析与仿真建模

摘要：

为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型.选用Charted0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线.仿真与理论结果相比较表明:PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合;2种仿真对变容显著区吻合较好.从而证明了PMOS集成变容管高频简化模型的正确性.

关键词：PMOS管、准静态曲线、特性曲线、高频特性模型、变容模型

所属期刊栏目：34

分类号：TN386-34(半导体技术)

资助基金：陕西省教育厅资助项目08JK487

在线出版日期：2011-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：183-185,188