10.3969/j.issn.1004-373X.2011.11.031
高性能宽带低噪声放大器的研制
以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证了设计的正确性,为高性能宽带低噪声放大器研制提供了新的设计依据和理论基础.
宽带、低噪声、放大器、薄膜混合集成电路、共晶工艺
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TN722-34(基本电子电路)
2011-08-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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