基于0.5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

摘要：

为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点.在S-Edit中进行"BiCMOS运放设计"电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值.完成电路设计后,在T-spice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W-Edit输出波形图.在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容构成的运算放大器版图设计.根据设计的版图,设计出BiCMOS相应的工艺流程,并提取各光刻工艺的掩模版.

关键词：BiCMOS、运算放大器、版图、VLSL

所属期刊栏目：34

分类号：TN433-34(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：三江学院2008年大学生创新训练计划:BiCOMS运算放大器设计xj0806

在线出版日期：2011-06-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：142-144