一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

摘要：

提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5～10 V.利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路.使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB.该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域.

关键词：带隙基准源、温度系数、动态反馈补偿、CMOS

所属期刊栏目：33

分类号：TN710(基本电子电路)

资助基金：科技部支撑项目子专题:IPTV服务系统建设与示范2008BADB6B02-06;省长基金:基于IPTV的农村信息化服务平台建设及应用示范贵州省科技攻关资助项目黔省专合字20083号;贵州省工业攻关计划项目:高精度低漂移集成电压基准源研究与试制黔科合丁字[2008]3033;贵州大学研究生创新基金资助省研理工2009003;贵州省农业攻关资助项目:面向贵州农村信息化远程多媒体视频点播关键技术研究黔科合丁字[2009]3051

在线出版日期：2010-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7-9,13