一种GaN宽禁带功率放大器的设计

摘要：

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料.为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10 W).详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3～2.4 GHz范围内可实现功率超过15 W,附加效率超过67%的输出.实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点.

关键词：宽禁带半导体、功率放大器、附加效率、GaN

分类号：TN95

资助基金：国家863资助课题项目2009AA01z255

在线出版日期：2010-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-47,50