硅硅直接键合界面杂质分布研究

摘要：

根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律,使用集成电路模拟软件T -SUPREM 4建立一个键合过程中杂质再扩散模型.该模型有利于MEMS和IC电路的集成化设计.使用该模型对键合热处理时的杂质再扩散进行模拟,得到了在500 ℃温度下进行键合时界面处杂质的分布曲线.结果表明,热处理1 h杂质再扩散已基本停止;键合界面处的氧化层对杂质扩散有明显的阻止作用,这有利于改善器件性能.

关键词：微电子机械系统、直接键合、杂质分布、功率器件

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.96(半导体技术)

在线出版日期：2010-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：157-159