一种适用于LDO的三级误差放大器的设计

摘要：

为了促进LDO在低电源电压环境中的应用,提高其稳定性,在此采用SMIC 0.35 μm,N阱CMOS工艺,设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器.仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽(2.5～6.5 V),静态电流小,开环电压增益为112.16 dB,相位裕度为89.03°,增益带宽积为6.04 MHz,共模抑制比为89.3 dB,电源抑制比为104.8 dB.

关键词：LDO、低压三级运放、单密勒电容、共模抑制比、电源抑制比

所属期刊栏目：33

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18