10.3969/j.issn.1004-373X.2010.02.004
基于功率MOS线性高压放大器设计
为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0~5 V时,电路可实现0~50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140~+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义.
功率MOSFET、线性高压、运算放大器、功率驱动
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TN722.7(基本电子电路)
2010-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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10-11,14