一种高精度带隙基准电压源设计

摘要：

提出一种采用0.35 μm CMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数.整体电路使用TSMC 0.35 μm CMOS 工艺,采用HSpice进行仿真.仿真结果表明,在-25～+125 ℃温度范围内温度系数为6.45 ppm/℃,电源抑制比达到-101 dB,电源电压在2.5～4.5 V之间,输出电压Vref的摆动为0.1 mV,功耗为0.815 mW,是一种有效的基准电压实现方法.

关键词：带隙基准电压源、电源抑制比、温度系数、HSpice

所属期刊栏目：33

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家"863"计划资助项目2006AA03A154;天津市科技支撑计划资助项目07ZCKFGX02100

在线出版日期：2010-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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