温度自适应性DRAM刷新时钟电路

摘要：

动态存储器(DRAM)需要通过刷新来保持内部的数据.为降低存储器刷新过程的电路功耗,设计一种具有温度自适应特性的刷新控制电路.根据二极管的电流在阈值电压附近的温度特性,利用电容充放电的结构,提出一种具有温度自适应特性的刷新时钟电路,使存储器刷新频率随电路温度变化而变化,其趋势符合动态存储器的刷新要求.仿真实验结果表明,新的电路在保证DRAM信息得到及时刷新的前提下,有效地降低了其刷新过程中的功耗.

关键词：刷新、动态存储器、温度适应性、功耗

所属期刊栏目：32

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：合肥工业大学科学研究发展基金061006F

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：181-183