一个高性能带隙基准电压源的设计
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1004-373X.2009.10.006

一个高性能带隙基准电压源的设计

引用
设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源.该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性;采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力.结果表明,电路温度系数为3.3 ppm/℃,在电源电压2.7~3.6 V范围内输出仅变化18 μV左右.

CMOS、带隙基准电压源、曲率补偿、电源抑制比

32

TN432(微电子学、集成电路(IC))

2009-06-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

16-18,21

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

现代电子技术

1004-373X

61-1224/TN

32

2009,32(10)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn