关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

摘要：

介绍一种关于双峰效应(Double-Hump)的评估方法.通过对MOSFET的Id-Vg曲线的分析,双峰效应的程度可以用数字化评估.采取这种量化表征,细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系.建立了MOS的Vt 和Punch-through的粒子注入有效浓度和双峰效应的相互关系模型.它们之间的相互关系与现存的理论一致.

关键词：双峰效应、掺杂浓度、MOSFET、数字化评估

所属期刊栏目：32

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：182-183,186