脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜

摘要：

采用脉冲激光沉积技术,在AIzO3衬底上生长GaN薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响.研究表明,在750℃的沉积温度时,GaN薄膜的结晶质量较高;在20 Pa以下的沉积气压下,GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高.

关键词：脉冲激光沉积系统、GaN材料、薄膜材料、沉积温度、沉积气压

所属期刊栏目：31

分类号：TN40(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江西省光电子与通信重点实验室开放基金资助项目2004002

在线出版日期：2009-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：12-14