10.3969/j.issn.1004-373X.2008.05.051
实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(下)
从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析.从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MOSFET驱动电路具有指导意义.
功率MOSFET、开关现象、开关特性、密勒效应、开关损耗
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TN386(半导体技术)
河南省科技攻关项目072102240033
2008-05-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
145-148,151