非晶态半导体的阈值开关机理

摘要：

从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理.利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析,从而论述非晶态半导体的阈值开关机理.

关键词：非晶态、阈值开关、电导率、半导体

所属期刊栏目：31

分类号：TN401(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：184-185